NX-2000 Focused Ion Beam System

Les systèmes FIB-SEM sont devenus un outil indispensable pour la caractérisation et l’analyse des dernières technologies et des matériaux nanométriques à haute performance.

La demande sans cesse croissante de lamelles TEM ultrafines sans artefacts pendant le traitement FIB exige les meilleures technologies en matière d’optique ionique et électronique.

Le système de faisceau d’ions focalisé (FIB) NX-2000 de HITACHI est équipé de trois canons. La colonne d’ions à haute densité de courant (jusqu’à 100nA) est verticale. La colonne d’électrons à ultra-haute résolution dispose d’un canon à émission froide de nouvelle génération permettant d’observer la zone amincie en temps réel. Un troisième canon émettant des ions Argon réduit considérablement les dommages dus aux rayonnements habituellement observés avec les ions Gallium.

La platine de déplacement de 200mm X 200mm, le dispositif breveté de ” Micro Sampling ” et les multiples possibilités d’injection de gaz complètent les caractéristiques du FIB Hitachi NX2000.

Colonne du FIB

• Résolution (SIM) : 4 nm 30 kV, 60 nm 2 kV
• Tension d’accélération : 0,5 kV – 30 kV
• Courant de faisceau : 0,05 pA – 100 nA
• Densité maximale du courant de faisceau : 54 A/cm2
• Ouverture : Automatique – 15 positions
• Temps d’arrêt min. : 10 ns

Colonne FE-SEM

• Résolution : 2,8 nm 5 kV, 3,5 nm 1kV
• Tension d’accélération : 0,5 kV – 30 kV
• Source d’électrons : Source d’émission de champ à cathode froide
• Surveillance en temps réel : Optique activée pour la fabrication en direct
• Détecteur
• Détecteur standard : SED supérieur/inférieur et BSED

Scène

• X : 0-205 mm
• Y : 0-205 mm
• Z : 0-10 mm
• θ : 0-360° continu
• γ : -5 – 60°