Transistores de potencia RF GaN/SiC
Los transistores de potencia HEMT GaN/SiC son avanzados en tecnología de RF. Garantizan disipación de calor, fiabilidad y densidad de potencia.
Los transistores de potencia HEMT de nitruro de galio sobre carburo de silicio (GaN/SiC) de Integra representan la vanguardia en tecnología de transistores de potencia de RF.
Estos dispositivos ofrecen una alta ganancia y niveles de potencia elevados desde UHF hasta frecuencias de microondas de banda C.
Gracias a su sustrato de carburo de silicio (SiC), garantizan una excelente disipación de calor para una fiabilidad a largo plazo y una densidad de potencia óptima. Estos transistores de potencia de RF en estado sólido incluyen modelos con una eficiencia energética de hasta el 90% y una potencia de 6 kW, siendo perfectos para diseñar amplificadores de alta potencia (HPA) en aplicaciones de radar pulsado, como sistemas de control de tráfico aéreo (ATC) comerciales y militares.