SRAM Space Memory module
Progettato specificamente per resistere agli ambienti spaziali e alle applicazioni in cui è richiesta tolleranza alle radiazioni.
Il 3DSR20M40VS2708 di 3D PLUS è un modulo di memoria SRAM resistente alle radiazioni progettato specificamente per applicazioni spaziali e ambienti critici in cui l’affidabilità e la robustezza contro le radiazioni ionizzanti sono essenziali.
Il 3DSR20M40VS2708 di 3D PLUS è un modulo di memoria SRAM da 20 Mbit (512K x 40). Questo dispositivo funziona a 3,3 V, offre tempi di accesso rapidi di 12 ns (con opzioni disponibili anche a 15 e 20 ns) ed è disponibile in un contenitore SOP84 ad alta densità.
La sua architettura supporta alti livelli di immunità agli effetti delle radiazioni ionizzanti, inclusi eventi di bit flipping e latch-up, garantendo l’integrità dei dati in missioni critiche.
Il design soddisfa gli standard per le applicazioni spaziali, consentendo la sua integrazione in sistemi embedded, satelliti e apparecchiature elettroniche esposte a radiazioni, offrendo la massima affidabilità e prestazioni in condizioni estreme.
Caratteristiche
- Tipo di memoria: SRAM (Static Random Access Memory) resistente alle radiazioni.
- Capacità: 20 Mbit (512K x 40 bit).
- Tensione di funzionamento: 3,3 V.
- Tempo di accesso: 12 ns (disponibili anche versioni da 15 e 20 ns).
- Confezione: SOP84 (passo: 0,508 mm).
- Configurazione: 40 linee di ingresso/uscita comuni, ideali per interfacce ad alta velocità.
- Intervallo di temperatura: tipico per applicazioni spaziali e industriali (vedere la scheda tecnica per i dettagli esatti).
- Applicazioni: sistemi spaziali, satelliti, elettronica integrata in veicoli aerospaziali o ambienti esposti ad alti livelli di radiazioni ionizzanti.