MRAM, Space Memory – 3D PLUS
La MRAM (Magneto Resistive Random Access Memory) tollerante alle radiazioni di 3D PLUS offre una memoria ad alta affidabilità per le missioni spaziali.
La MRAM (Magneto Resistive Random Access Memory) tollerante alle radiazioni di 3D PLUS offre una memoria ad alta affidabilità per le missioni spaziali. La MRAM memorizza i dati utilizzando la polarizzazione magnetica, rendendola una cella di memoria non volatile intrinseca resistente alle radiazioni, immune ai Single Event Upsets (SEU) e in grado di offrire prestazioni di velocità SRAM. Sfruttando la tecnologia Everspin, questi stack MRAM da 3,3 V garantiscono una resistenza illimitata, elevati tempi di conservazione dei dati e larghezze di bus dati versatili: x8b, x16b, x32b o x40b. Ideali per le soluzioni di memoria spaziale, sono disponibili in pacchetti SOP progettati per l’assemblaggio con tecnologia SMT (Surface Mount Technology) ad alta resistenza, per garantire la resistenza agli ambienti termici e meccanici estremi dello spazio.
Le memorie MRAM 3D PLUS, rilasciate per la prima volta nel 2007, sono state utilizzate con successo in missioni spaziali come Glonass, Sentinel 2 e KompSat-6. Le sue caratteristiche sottolineano l’importanza della MRAM come memoria non volatile e tollerante alle radiazioni, rendendola essenziale per le moderne missioni spaziali, in particolare per l’avvio dei processori, la memorizzazione dei programmi e la memorizzazione dei bitstream FPGA.
Caratteristiche principali:
- Massima densità con il minimo ingombro (oltre l’85% di risparmio di area sulla scheda)
- Resistenza illimitata in lettura/scrittura
- Conservazione dei dati per 20 anni
- Ingombro ridotto
Tolleranza alle radiazioni:
- TID > 50krad (Si)
- SEL LETth > 85 MeV.cm²/mg
- SEU LETth
- > 85 MeV.cm²/mg (standby)
- 10 MeV.cm²/mg (dinamico);
- σsat = 2E-5 cm²/bit