Sistema de Haz de Iconos Focalizados NX-2000

Los sistemas FIB-SEM se han convertido en una herramienta indispensable para la caracterización y el análisis de las tecnologías más recientes y de materiales de alto rendimiento a nanoescala.

La demanda cada vez mayor de láminas TEM ultrafinas sin artefactos durante el procesado FIB requiere lo mejor en tecnologías de óptica de iones y electrones.

El sistema HITACHI Focused Icon Beam (FIB) NX-2000 está equipado con tres cañones. La columna de iones de alta densidad de corriente (hasta 100 nA) es vertical.

La columna de electrones de ultra alta resolución dispone de un cañón de emisión fría de nueva generación que permite la observación de la zona adelgazada en tiempo real.

Un tercer cañón que emite iones de argón reduce considerablemente el daño por radiación que suele observarse con los iones de galio.

La platina de desplazamiento de 200 mm x 200 mm, el dispositivo patentado de “Micro Sampling” y las múltiples posibilidades de inyección de gas completan las características del FIB Hitachi NX2000.

Columna FIB

• Resolución (SIM): 4 nm a 30 kV, 60 nm a 2 kV
• Voltaje de aceleración: 0,5 kV – 30 kV
• Corriente de haz: 0,05 pA – 100 nA
• Densidad máxima de corriente de haz: 54 A/cm²
• Diafragma: Automatizado – 15 posiciones
• Tiempo de permanencia mínimo: 10 ns

Columna FE-SEM

• Resolución: 2,8 nm a 5 kV, 3,5 nm a 1 kV
• Voltaje de aceleración: 0,5 kV – 30 kV
• Fuente de electrones: Fuente de emisión de campo de cátodo frío
• Monitorización en tiempo real: Óptica habilitada para fabricación en vivo
• Detector
• Detector estándar: SED superior/inferior y BSED

Platina

• X: 0-205 mm
• Y: 0-205 mm
• Z: 0-10 mm
• θ: 0-360° continuo
• γ: -5 – 60°