BeRex bringt neue Generation von pHEMT-Leistungstransistoren auf den Markt

Santa Clara (CA),  13. März 2017:  BeRex, ein führender Anbieter von GaAs-Hochleistungsbauelementen der Typen pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) und MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) meldet heute die Markteinführung einer neuen Familie von pHEMT-FETs (pHEMT-Feldeffekttansistoren), der “BCPxxxC-Serie”.

Diese neuen FETs zeichnen sich durch einen erhöhten Stromwirkungsgrad bei exzellentem Verstärkungs- und Leistungsverhalten aus.  Damit eignen sie sich ausgezeichnet für C-, X-, Ku- und K-Band-Verstärker.

Die neuen BCPxxxC-FETs sind als ungehäuster Chip (Bare Die) mit einer Nenn-Gatelänge von 0,25 µm und Gatebreiten von 200 µm bis 2400 µm erhältlich und liefern eine Ausgangsleistung von bis zu einem Watt bei Frequenzen bis 27 GHz.

Diese Bauelemente werden in den USA entwickelt und gefertigt, wobei modernste Metallisierungs- und Si3N4-Passivierungsverfahren zur Anwendung kommen, damit ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit für kommerzielle oder militärische Anwendungen gewährleistet ist.

Zur pHEMT-Familie BCPxxxC gehören die Versionen BCP020C, BCP030C, BCP040C, BCP060C, BCP080C, BCP120C, BCP160C und BCP240C.

“Die neue pHEMT-Chipfamilie BCPxxxC steht für unser kontinuierliches Engagement in der Bereitstellung von PHEMT-Produkten für einige der weltweit anspruchsvollsten kommerziellen und militärischen Anwendungen”, sagt Dr. Alex Yoo Ph.D., Präsident von BeRex, Inc.

Angeboten werden die pHEMT-Chips der BeRex-Serie BCPxxxC zu wettbewerbsfähigen Preisen. Muster aus der laufenden Produktion sind auf Anfrage erhältlich. Weitere Informationen zu diesen und anderen BeRex-Produkten sind auf der Unternehmens-Webseite zu finden: www.berex.com.

BeRex, Inc. wurde 2007 gegründet und hat seinen Sitz in Santa Clara (Kalifornien), wo das Unternehmen ein breites Spektrum von GaAs- und SiGe-Hochfrequenzbauelementen für kommerzielle und militärische Kunden weltweit entwickelt, produziert und vermarktet.

Sivers IMA führt neuen 60 GHz RHIC chip ein

Der TRX-BF01 ist ein WiGig / 802.11ad kompatibler 16 + 16 Strahl bildender Transceiver.

Sivers IMA gibt heute die kommende Einführung eines neuen Strahlforming-Transceivers RFIC auf dem Mobile World Congress in Barcelona vom 27. Februar bis zum 2. März bekannt. Der TRX-BF01 ist ein WiGig / 802.11ad kompatibler 16 + 16 Strahl bildender Transceiver. Es ist ein Carrier Grade, High Speed ​​WiGig RFIC Targeting Daten-und Telekommunikations-Infrastruktur-Anwendungen für die Netzwerk-Lösungen von heute und morgen. TRX-BF01 kann im festen Hochgeschwindigkeits Funkzugang (FWA), in vernetzten Netzwerken und Backhaul sowie in Fronthaul-Lösungen eingesetzt werden. Es unterstützt derzeit das 60 GHz V-Band.

Das anhaltende 10-fache Wachstum im mobilen Datenverkehr bis 2022 * drängt die Grenzen für neue und innovative Wireless-Lösungen nach vorne. WiGig, Millimeter Welle und Strahlformung werden unerlässliche  Technologien sein, um dieses enorme Wachstum zu unterstützen.

“Mit dieser neuen RFIC wird Sivers IMA einen entscheidenden Schritt machen, um ein führender Anbieter von Millimeterwellen-RFICs für Daten- und Telekommunikationsinfrastrukturlösungen zu werden. Mit dem Stand der Technik und dem sehr hohen Integrationsniveau bietet Sivers IMA unseren Kunden einen einzigartigen Wert “, sagt Anders Storm, CEO von Sivers IMA.

TRX-BF01 hat 16 Tx +16 Rx digital gesteuerte Strahlformkanäle, alle in einem Chip. Es umfasst alle Bausteine ​​in Silicon Germanium, in einer kleinen 12,5 × 12,5 mm eWLB Kapsel. Die eingebaute volle PLL und VCO verfügen über hervorragende Phasenrauschen und bieten somit eine hervorragende Leistung der EVM-Leistung und können mit der 64-QAM-Single-Carrier-Modulation verwendet werden, die dem 802.11ad-Standard entspricht und so bis zu 7 Gbit / s in der Luft ermöglicht. Silicon Germanium bietet im Vergleich zu vielen CMOS RFICs für Millimeterwellen, in einigen Fällen mehr als 100 mal höhere Ausgangsleistung pro Tx-Kanal.

Frequenzsynthesizer der MLMS-Serie 250 MHz bis 16 GHz

Die verfügbaren Standardmodelle decken die Frequenzbereiche 250 MHz bis 6 GHz, 2 bis 8 GHz, 6 bis 13 GHz und 8 bis 16 GHz ab. Spezielle kundendefinierte Frequenzbereiche innerhalb des gesamten Frequenzbereichs sind per Sonderbestellung erhältlich. Die Standardmodelle sind für den Temperaturbereich von 0 bis +65 °C ausgelegt; per Sonderbestellung sind jedoch auch Versionen für den erweiterten Temperaturbereich von -40 bis +85 °C lieferbar.

Diese Frequenzsynthesizer-Serie sind in einem Miniaturgehäuse untergebracht, das in ein Single-Slot-PXI-Chassis passt.  Die Abmessungen lauten 2,5 x 2,5 x 0,65″. Die Geräte haben einen 9-poligen Molex-Steckverbinder für alle Eingangsspannungen und Signale sowie einen Standard-USB-Mini-B-Stecker. Typische Anwendungen sind Breitbandempfänger, automatisierte Prüfsysteme, Telekommunikations- und Satellitenkommunikationsanlagen, unbemannte Luftfahrzeuge (UAV) und Drohnen sowie vielfältige militärische und kommerzielle Testanwendungen.