Santa Clara (CA),\u00a0 13. M\u00e4rz 2017:\u00a0 BeRex, ein f\u00fchrender Anbieter von GaAs-Hochleistungsbauelementen der Typen pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) und MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) meldet heute die Markteinf\u00fchrung einer neuen Familie von pHEMT-FETs (pHEMT-Feldeffekttansistoren), der \u201cBCPxxxC-Serie\u201d.<\/p>\n
Diese neuen FETs zeichnen sich durch einen erh\u00f6hten Stromwirkungsgrad bei exzellentem Verst\u00e4rkungs- und Leistungsverhalten aus.\u00a0 Damit eignen sie sich ausgezeichnet f\u00fcr C-, X-, Ku- und K-Band-Verst\u00e4rker.<\/p>\n
Die neuen BCPxxxC-FETs sind als ungeh\u00e4uster Chip (Bare Die) mit einer Nenn-Gatel\u00e4nge von 0,25 \u00b5m und Gatebreiten von 200 \u00b5m bis 2400 \u00b5m erh\u00e4ltlich und liefern eine Ausgangsleistung von bis zu einem Watt bei Frequenzen bis 27 GHz.<\/p>\n
Diese Bauelemente werden in den USA entwickelt und gefertigt, wobei modernste Metallisierungs- und Si3N4-Passivierungsverfahren zur Anwendung kommen, damit ein H\u00f6chstma\u00df an Zuverl\u00e4ssigkeit f\u00fcr kommerzielle oder milit\u00e4rische Anwendungen gew\u00e4hrleistet ist.<\/p>\n
Zur pHEMT-Familie BCPxxxC geh\u00f6ren die Versionen BCP020C, BCP030C, BCP040C, BCP060C, BCP080C, BCP120C, BCP160C und BCP240C.<\/p>\n
\u201cDie neue pHEMT-Chipfamilie BCPxxxC steht f\u00fcr unser kontinuierliches Engagement in der Bereitstellung von PHEMT-Produkten f\u00fcr einige der weltweit anspruchsvollsten kommerziellen und milit\u00e4rischen Anwendungen\u201d, sagt Dr. Alex Yoo Ph.D., Pr\u00e4sident von BeRex, Inc.<\/p>\n
Angeboten werden die pHEMT-Chips der BeRex-Serie BCPxxxC zu wettbewerbsf\u00e4higen Preisen. Muster aus der laufenden Produktion sind auf Anfrage erh\u00e4ltlich. Weitere Informationen zu diesen und anderen BeRex-Produkten sind auf der Unternehmens-Webseite zu finden: www.berex.com.<\/p>\n
BeRex, Inc. wurde 2007 gegr\u00fcndet und hat seinen Sitz in Santa Clara (Kalifornien), wo das Unternehmen ein breites Spektrum von GaAs- und SiGe-Hochfrequenzbauelementen f\u00fcr kommerzielle und milit\u00e4rische Kunden weltweit entwickelt, produziert und vermarktet.<\/p>\n\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Neue Familie von Leistungs-pHEMT-FETs BCPxxxC bietet hohe Zuverl\u00e4ssigkeit und Leistungseffizienz.<\/p>\n","protected":false},"author":5,"featured_media":386,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[42],"tags":[],"class_list":["post-385","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-produkt-nachrichten"],"acf":[],"yoast_head":"\n